Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  P-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  150 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  5.5A
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  -
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (max)
  -
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  -
• fet Fonktioun
  Standard
• Energieverbrauch (max)
  75W
• Betribssystemer Temperatur
  -
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-204AE
• Package / Fall
  TO-204AE