IRGSL4B60KD1PBF

IRGSL4B60KD1PBF

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IRGSL4B60 - DISCRETE IGBT WITH A

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    11 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    22 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 4A
  • Muecht - max
    63 W
  • Energie wiesselen
    73µJ (on), 47µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    12 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    22ns/100ns
  • Test Zoustand
    400V, 4A, 100Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    93 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-262

IRGSL4B60KD1PBF Ufro en Devis

Op Lager 21883
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.95000
Zilpräis:
Ganzen:0.95000

Informatiounsblat