Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  55 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  51A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±16V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  80W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  PG-TO263-3-2
• Package / Fall
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB