MIC4123YME

MIC4123YME

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

pmic - Gate Chauffeuren

Beschreiwung

DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • ugedriwwen Configuratioun
    Low-Side
  • Kanal Typ
    Independent
  • Zuel vun Chauffeuren
    2
  • Gate Typ
    N-Channel, P-Channel MOSFET
  • Spannung - Versuergung
    4.5V ~ 20V
  • logesch Spannung - vil, vih
    0.8V, 2.4V
  • Stroum - Peak Output (Quell, Spull)
    3A, 3A
  • Input Typ
    Inverting
  • Héich Säit Spannung - Max (Bootstrap)
    -
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    11ns, 11ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Fournisseur Apparat Package
    8-SOIC

MIC4123YME Ufro en Devis

Op Lager 17566
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.20000
Zilpräis:
Ganzen:1.20000

Informatiounsblat