MJD112-1G

MJD112-1G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - bipolare (bjt) - eenzel

Beschreiwung

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    NPN - Darlington
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    2 A
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    100 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    20µA
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Muecht - max
    1.75 W
  • Frequenz - Iwwergank
    25MHz
  • Betribssystemer Temperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Fournisseur Apparat Package
    I-PAK

MJD112-1G Ufro en Devis

Op Lager 44324
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.23000
Zilpräis:
Ganzen:0.23000

Informatiounsblat