MJD200T4G

MJD200T4G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - bipolare (bjt) - eenzel

Beschreiwung

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 25

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    NPN
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    5 A
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    25 V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    1.8V @ 1A, 5A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    100nA (ICBO)
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    45 @ 2A, 1V
  • Muecht - max
    1.4 W
  • Frequenz - Iwwergank
    65MHz
  • Betribssystemer Temperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    DPAK

MJD200T4G Ufro en Devis

Op Lager 56362
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.18000
Zilpräis:
Ganzen:0.18000

Informatiounsblat