NGB8206NT4G

NGB8206NT4G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    *
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    390 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    20 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    -
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 4.5V, 20A
  • Muecht - max
    150 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Logic
  • Gate charge
    -
  • td (an/aus) @ 25°c
    -
  • Test Zoustand
    -
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    D2PAK

NGB8206NT4G Ufro en Devis

Op Lager 19222
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.09000
Zilpräis:
Ganzen:1.09000

Informatiounsblat