NGB8207BNT4G

NGB8207BNT4G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    365 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    20 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    50 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.6V @ 4V, 20A
  • Muecht - max
    165 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Logic
  • Gate charge
    -
  • td (an/aus) @ 25°c
    -
  • Test Zoustand
    -
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    D2PAK

NGB8207BNT4G Ufro en Devis

Op Lager 33219
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.62000
Zilpräis:
Ganzen:0.62000

Informatiounsblat