NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    20 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    40 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • Muecht - max
    72 W
  • Energie wiesselen
    412µJ (on), 140µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    53 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    48ns/120ns
  • Test Zoustand
    300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    90 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    DPAK

NGTB10N60R2DT4G Ufro en Devis

Op Lager 35451
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.58000
Zilpräis:
Ganzen:0.58000

Informatiounsblat