NGTB30N65IHL2WG

NGTB30N65IHL2WG

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    60 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    120 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.2V @ 15V, 30A
  • Muecht - max
    300 W
  • Energie wiesselen
    200µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    135 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    -/145ns
  • Test Zoustand
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    430 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

NGTB30N65IHL2WG Ufro en Devis

Op Lager 14184
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.27000
Zilpräis:
Ganzen:2.27000

Informatiounsblat