Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  P-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  20 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  3.9A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  46mOhm @ 3.9A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  1.2V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  -
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  710 pF @ 5 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  -
• Betribssystemer Temperatur
  -
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  ChipFET™
• Package / Fall
  8-SMD, Flat Lead