NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

Transistoren - speziell Zweck

Beschreiwung

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    NPN, P-Channel
  • Uwendungen
    General Purpose
  • Spannung - bewäert
    35V PNP, 20V P-Channel
  • aktuell Bewäertung (Ampere)
    2A PNP, 3.9A P-Channel
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-VDFN Exposed Pad
  • Fournisseur Apparat Package
    8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Ufro en Devis

Op Lager 38000
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.54000
Zilpräis:
Ganzen:0.54000

Informatiounsblat