RJK6026DPP-E0#T2

RJK6026DPP-E0#T2

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    5A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    -
  • rds op (max) @ id, vgs
    2.4Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    -
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    14 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    -
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    440 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    28.5W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220FP
  • Package / Fall
    TO-220-3 Full Pack

RJK6026DPP-E0#T2 Ufro en Devis

Op Lager 29165
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.71000
Zilpräis:
Ganzen:0.71000