Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  20 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  2A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  1.8V, 4.5V
• rds op (max) @ id, vgs
  125mOhm @ 1A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  1.8 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±12V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  128 pF @ 10 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  800mW (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  6-SCH
• Package / Fall
  SOT-563, SOT-666