BS2132F-E2

BS2132F-E2

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

pmic - Gate Chauffeuren

Beschreiwung

600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • ugedriwwen Configuratioun
    High-Side
  • Kanal Typ
    3-Phase
  • Zuel vun Chauffeuren
    3
  • Gate Typ
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • Spannung - Versuergung
    11.5V ~ 20V
  • logesch Spannung - vil, vih
    0.8V, 2.6V
  • Stroum - Peak Output (Quell, Spull)
    -
  • Input Typ
    Non-Inverting
  • Héich Säit Spannung - Max (Bootstrap)
    600 V
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    125ns, 50ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Fournisseur Apparat Package
    28-SOP

BS2132F-E2 Ufro en Devis

Op Lager 9023
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.70000
Zilpräis:
Ganzen:3.70000