RGCL80TS60DGC11

RGCL80TS60DGC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    65 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    160 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Muecht - max
    148 W
  • Energie wiesselen
    1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    98 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    53ns/227ns
  • Test Zoustand
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    58 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247N

RGCL80TS60DGC11 Ufro en Devis

Op Lager 7808
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.37000
Zilpräis:
Ganzen:4.37000