RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    8 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    12 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Muecht - max
    65 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    13.5 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    17ns/69ns
  • Test Zoustand
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    40 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-262

RGT8NS65DGC9 Ufro en Devis

Op Lager 11677
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.84000
Zilpräis:
Ganzen:1.84000