RGTVX2TS65GC11

RGTVX2TS65GC11

Fabrikant beschwéiert

ROHM Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    111 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    240 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    319 W
  • Energie wiesselen
    2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    123 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    49ns/150ns
  • Test Zoustand
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247N

RGTVX2TS65GC11 Ufro en Devis

Op Lager 9621
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
5.73000
Zilpräis:
Ganzen:5.73000