Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  SiCFET (Silicon Carbide)
• drain to source voltage (vdss)
  1200 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  10A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  18V
• rds op (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 900µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (max)
  +22V, -6V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  85W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-247
• Package / Fall
  TO-247-3