SI8275DBD-IS1R

SI8275DBD-IS1R

Fabrikant beschwéiert

Silicon Labs

Produit Kategorie

isolators - Gate Chauffeuren

Beschreiwung

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

Spezifikatioune

  • Serie
    Automotive, AEC-Q100
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Active
  • Technologie
    Capacitive Coupling
  • Zuel vun Channels
    2
  • Spannung - Isolatioun
    2500Vrms
  • gemeinsame Modus transient Immunitéit (min)
    200kV/µs
  • Ausbreedungsverzögerung tplh / tphl (max)
    75ns, 75ns
  • Puls Breet Verzerrung (max)
    8ns
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    10.5ns, 13.3ns
  • aktuell - Ausgang héich, niddereg
    1.8A, 4A
  • aktuell - Peak Output
    4A
  • Spannung - Forward (vf) (typ)
    -
  • aktuell - DC weider (wann) (max)
    -
  • Spannung - Ausgangsversuergung
    4.2V ~ 30V
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Fournisseur Apparat Package
    16-SOIC
  • averstaane Agence
    CQC, CSA, UL, VDE

SI8275DBD-IS1R Ufro en Devis

Op Lager 13288
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.41500
Zilpräis:
Ganzen:2.41500