Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• ugedriwwen Configuratioun
  Half-Bridge
• Kanal Typ
  Independent
• Zuel vun Chauffeuren
  2
• Gate Typ
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• Spannung - Versuergung
  17V (Max)
• logesch Spannung - vil, vih
  1.1V, 1.8V
• Stroum - Peak Output (Quell, Spull)
  400mA, 650mA
• Input Typ
  Inverting
• Héich Säit Spannung - Max (Bootstrap)
  600 V
• Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
  70ns, 40ns
• Betribssystemer Temperatur
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Fournisseur Apparat Package
  -