STGW10M65DF2

STGW10M65DF2

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Spezifikatioune

  • Serie
    M
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    20 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    40 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 10A
  • Muecht - max
    115 W
  • Energie wiesselen
    120µJ (on), 270µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    28 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    19ns/91ns
  • Test Zoustand
    400V, 10A, 22Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    96 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247

STGW10M65DF2 Ufro en Devis

Op Lager 11582
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.88000
Zilpräis:
Ganzen:1.88000

Informatiounsblat