STGW60H65DRF

STGW60H65DRF

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 650V 120A 420W TO247

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    120 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    240 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    420 W
  • Energie wiesselen
    940µJ (on), 1.06mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    217 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    85ns/178ns
  • Test Zoustand
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    19 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247

STGW60H65DRF Ufro en Devis

Op Lager 10058
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
5.45000
Zilpräis:
Ganzen:5.45000

Informatiounsblat