TSM60NB600CF C0G

TSM60NB600CF C0G

Fabrikant beschwéiert

TSC (Taiwan Semiconductor)

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    8A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    600mOhm @ 1.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    528 pF @ 100 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    41.7W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    ITO-220S
  • Package / Fall
    TO-220-3 Full Pack

TSM60NB600CF C0G Ufro en Devis

Op Lager 12965
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.67000
Zilpräis:
Ganzen:1.67000

Informatiounsblat