TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

Produit Kategorie

Erënnerung

Beschreiwung

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

Spezifikatioune

  • Serie
    Benand™
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Active
  • Erënnerung Typ
    Non-Volatile
  • Erënnerung Format
    FLASH
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Erënnerung Gréisst
    4Gb (512M x 8)
  • Erënnerung Interface
    Parallel
  • Auer Frequenz
    -
  • schreiwen Zyklus Zäit - Wuert, Säit
    25ns
  • Zougang Zäit
    25 ns
  • Spannung - Versuergung
    1.7V ~ 1.95V
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    67-VFBGA
  • Fournisseur Apparat Package
    67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 Ufro en Devis

Op Lager 7260
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.74000
Zilpräis:
Ganzen:4.74000

Informatiounsblat