RN2106MFV,L3F(CT

RN2106MFV,L3F(CT

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistors - bipolare (bjt) - Single, Pre-biased

Beschreiwung

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    PNP - Pre-Biased
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    100 mA
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    50 V
  • Resistor - Base (r1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (r2)
    47 kOhms
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    80 @ 10mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    500nA
  • Frequenz - Iwwergank
    250 MHz
  • Muecht - max
    150 mW
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    SOT-723
  • Fournisseur Apparat Package
    VESM

RN2106MFV,L3F(CT Ufro en Devis

Op Lager 56360
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.18000
Zilpräis:
Ganzen:0.18000