TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

Spezifikatioune

  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    60 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    60A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    6.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1mA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    72 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    6100 pF @ 30 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    1.6W (Ta), 78W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    8-SOP Advance (5x5)
  • Package / Fall
    8-PowerVDFN

TPH2R306NH,L1Q Ufro en Devis

Op Lager 12665
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.69000
Zilpräis:
Ganzen:1.69000

Informatiounsblat