TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - eenzel

Beschreiwung

DODE SCHOTTKY 650V TO220

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • diode Typ
    Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    650 V
  • aktuell - Moyenne rectified (io)
    10A (DC)
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.6 V @ 10 A
  • Vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    0 ns
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    50 µA @ 650 V
  • Kapazitéit @ vr, f
    36pF @ 650V, 1MHz
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-220-2
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220-2L
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    175°C (Max)

TRS10E65F,S1Q Ufro en Devis

Op Lager 6963
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.90000
Zilpräis:
Ganzen:4.90000