1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

Fabrikant beschwéiert

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - eenzel

Beschreiwung

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Spezifikatioune

  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Active
  • diode Typ
    Standard
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    800 V
  • aktuell - Moyenne rectified (io)
    1A
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.1 V @ 1 A
  • Vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    10 µA @ 800 V
  • Kapazitéit @ vr, f
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Fournisseur Apparat Package
    DO-213AB
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -65°C ~ 175°C

1N6483HE3/97 Ufro en Devis

Op Lager 76606
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.13193
Zilpräis:
Ganzen:0.13193

Informatiounsblat