SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - arrays

Beschreiwung

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    2 P-Channel (Dual)
  • fet Fonktioun
    Logic Level Gate
  • drain to source voltage (vdss)
    60V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    3.2A
  • rds op (max) @ id, vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    40nC @ 10V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    -
  • Muecht - max
    1.5W
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Fournisseur Apparat Package
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7949DP-T1-GE3 Ufro en Devis

Op Lager 12501
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.72000
Zilpräis:
Ganzen:1.72000

Informatiounsblat