SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    6.2A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    24mOhm @ 8.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    -
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    1.5W (Ta)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    8-SO
  • Package / Fall
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI9410BDY-T1-E3 Ufro en Devis

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