SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    29A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    125mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    130 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    2600 pF @ 100 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    250W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247AC
  • Package / Fall
    TO-247-3

SIHG30N60E-GE3 Ufro en Devis

Op Lager 8420
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.70000
Zilpräis:
Ganzen:6.70000

Informatiounsblat