SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    9A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    11mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1100 pF @ 15 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    1.5W (Ta)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    PowerPAK® 1212-8
  • Package / Fall
    PowerPAK® 1212-8

SIS406DN-T1-GE3 Ufro en Devis

Op Lager 24457
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.85000
Zilpräis:
Ganzen:0.85000

Informatiounsblat