SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - arrays

Beschreiwung

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    2 N-Channel (Dual)
  • fet Fonktioun
    Standard
  • drain to source voltage (vdss)
    30V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
  • rds op (max) @ id, vgs
    4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    22nC @ 10V, 62nC @ 10V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
  • Muecht - max
    3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-PowerWDFN
  • Fournisseur Apparat Package
    8-PowerPair® (6x5)

SIZF300DT-T1-GE3 Ufro en Devis

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