Spezifikatioune

• Serie
  C2M™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Not For New Designs
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  SiCFET (Silicon Carbide)
• drain to source voltage (vdss)
  1700 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  72A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  20V
• rds op (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (max)
  +25V, -10V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  520W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-247-4
• Package / Fall
  TO-247-4