Spezifikatioune

• Serie
  C3M™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  SiCFET (Silicon Carbide)
• drain to source voltage (vdss)
  1200 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  100A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  15V
• rds op (max) @ id, vgs
  28.8mOhm @ 50A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 17.7mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  162 nC @ 15 V
• vgs (max)
  +15V, -4V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  4818 pF @ 1000 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  469W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-247-4L
• Package / Fall
  TO-247-4