Spezifikatioune

• Serie
  Z-REC™
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet Fonktioun
  Silicon Carbide (SiC)
• drain to source voltage (vdss)
  1200V (1.2kV)
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  444A (Tc)
• rds op (max) @ id, vgs
  4.3mOhm @ 400A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 105mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  1127nC @ 20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  -
• Muecht - max
  3000W
• Betribssystemer Temperatur
  175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  -
• Package / Fall
  Module
• Fournisseur Apparat Package
  Module