Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet Fonktioun
  Silicon Carbide (SiC)
• drain to source voltage (vdss)
  1200V (1.2kV)
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  468A (Tc)
• rds op (max) @ id, vgs
  4.25mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 106mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  1040nC @ 15V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  29700pF @ 800V
• Muecht - max
  -
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Chassis Mount
• Package / Fall
  Module
• Fournisseur Apparat Package
  Module