MURTA20060

MURTA20060

Fabrikant beschwéiert

GeneSiC Semiconductor

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - arrays

Beschreiwung

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • diode Configuratioun
    1 Pair Common Cathode
  • diode Typ
    Standard
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    600 V
  • Stroum - Moyenne riicht (io) (pro Diode)
    100A
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.7 V @ 100 A
  • Vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    25 µA @ 600 V
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -55°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Three Tower
  • Fournisseur Apparat Package
    Three Tower

MURTA20060 Ufro en Devis

Op Lager 1401
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
106.56056
Zilpräis:
Ganzen:106.56056

Informatiounsblat