F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 130A 660W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    130 A
  • Muecht - max
    660 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    3.75V @ 15V, 100A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    6.8 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

F4100R12KS4BOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1233
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
204.45600
Zilpräis:
Ganzen:204.45600

Informatiounsblat