FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 295A 1050W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Half Bridge
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    295 A
  • Muecht - max
    1050 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FF200R12KE3B2HOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1333
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
136.81500
Zilpräis:
Ganzen:136.81500