FP25R12W2T4BOMA1

FP25R12W2T4BOMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 39A 175W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    39 A
  • Muecht - max
    175 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.25V @ 15V, 25A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    1 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    1.45 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FP25R12W2T4BOMA1 Ufro en Devis

Op Lager 1990
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
50.43000
Zilpräis:
Ganzen:50.43000

Informatiounsblat