FS450R12OE4BOSA1

FS450R12OE4BOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 660A 2250W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    660 A
  • Muecht - max
    2250 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 450A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    3 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    28 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FS450R12OE4BOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 890
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
625.15000
Zilpräis:
Ganzen:625.15000

Informatiounsblat