FZ1200R17HP4HOSA2

FZ1200R17HP4HOSA2

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1700V 1200A 7800W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench
  • Configuratioun
    Single Switch
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1700 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    1200 A
  • Muecht - max
    7800 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.25V @ 15V, 1200A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    97 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FZ1200R17HP4HOSA2 Ufro en Devis

Op Lager 1010
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
819.61000
Zilpräis:
Ganzen:819.61000

Informatiounsblat