Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  60 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  1.2A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  4.5V, 10V
• rds op (max) @ id, vgs
  480mOhm @ 1.2A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 25µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  0.67 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±16V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  64 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  1.25W (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  Micro3™/SOT-23
• Package / Fall
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3