Spezifikatioune

• Serie
  BIMOSFET™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• igbt Typ
  -
• Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
  3000 V
• aktuell - Sammler (ic) (max)
  34 A
• Stroum - Sammler gepulst (ICM)
  88 A
• vce(an) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• Muecht - max
  180 W
• Energie wiesselen
  -
• Input Typ
  Standard
• Gate charge
  46 nC
• td (an/aus) @ 25°c
  36ns/100ns
• Test Zoustand
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  1.6 µs
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Fournisseur Apparat Package
  TO-263