Spezifikatioune

• Serie
  BIMOSFET™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Not For New Designs
• igbt Typ
  -
• Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
  3600 V
• aktuell - Sammler (ic) (max)
  70 A
• Stroum - Sammler gepulst (ICM)
  220 A
• vce(an) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• Muecht - max
  430 W
• Energie wiesselen
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• Input Typ
  Standard
• Gate charge
  110 nC
• td (an/aus) @ 25°c
  18ns/238ns
• Test Zoustand
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  1.7 µs
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Fournisseur Apparat Package
  TO-268