IXTA1N100P

IXTA1N100P

Fabrikant beschwéiert

Wickmann / Littelfuse

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

Spezifikatioune

  • Serie
    Polar™
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    1000 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    1A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    15Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 50µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    15.5 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    331 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    50W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-263 (IXTA)
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA1N100P Ufro en Devis

Op Lager 14228
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.25000
Zilpräis:
Ganzen:2.25000

Informatiounsblat