APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Fabrikant beschwéiert

Roving Networks / Microchip Technology

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Spezifikatioune

  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    PT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    96 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    140 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Muecht - max
    543 W
  • Energie wiesselen
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    150 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    16ns/95ns
  • Test Zoustand
    600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3 Variant
  • Fournisseur Apparat Package
    -

APT35GP120B2DQ2G Ufro en Devis

Op Lager 4216
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
15.17000
Zilpräis:
Ganzen:15.17000

Informatiounsblat