MSCSM120AM027CT6AG

MSCSM120AM027CT6AG

Fabrikant beschwéiert

Roving Networks / Microchip Technology

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - arrays

Beschreiwung

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    2 N Channel (Phase Leg)
  • fet Fonktioun
    Silicon Carbide (SiC)
  • drain to source voltage (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    733A (Tc)
  • rds op (max) @ id, vgs
    3.5mOhm @ 360A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.8V @ 9mA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    2088nC @ 20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    27000pF @1000V
  • Muecht - max
    2.97kW (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    SP6C

MSCSM120AM027CT6AG Ufro en Devis

Op Lager 854
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1149.49000
Zilpräis:
Ganzen:1149.49000